贴片电容介质强度介绍

贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于 高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度主要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档 (±0.5pF)三种精度。
  　　以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。
  　　不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。
  　　以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度主要为Z档(+80～-20)，也可选择±20精度的产品。
  　　贴片电容介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流.这种模式与温度密切相关,介质强度隨温度提高而下降。
　　任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降,而且和绝缘电阻一样,介质强度也与几何尺寸密切相关.由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大,因此介质强度反比于介质层厚度.类似地,介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸.基於以上考虑,进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试(一般为其工作电压的2.5倍)時,不发生击穿失效。